歡迎訪問中科光析科學(xué)技術(shù)研究所官網(wǎng)!

免費(fèi)咨詢熱線
400-640-9567|
潔凈廠房環(huán)境檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求? |
點(diǎn) 擊 解 答??![]() |
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)粒子的發(fā)生裝置原理以及塵埃粒子計(jì)數(shù)器的性能試驗(yàn)方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用光散射原理,對(duì)采樣空氣中粒徑為0.1μm~10.0μm懸浮微粒大小和粒子數(shù)量進(jìn)行測(cè)量的塵埃粒子計(jì)數(shù)器。該類塵埃粒子計(jì)數(shù)器主要用于潔凈室的潔凈度檢測(cè)和空氣過濾器及濾材的性能檢測(cè)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了檸檬酸的化學(xué)名稱、分子式、結(jié)構(gòu)式和相對(duì)分子質(zhì)量、產(chǎn)品分類、要求、分析方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于由淀粉質(zhì)或糖質(zhì)原料發(fā)酵制得的檸檬酸產(chǎn)品。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硬磁盤驅(qū)動(dòng)器頭堆組件的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合GB/T 12628-2008的63.5mm(2.5in)和90mm(3.5in)硬磁盤驅(qū)動(dòng)器的頭堆組件。其他尺寸的頭堆組件可參照本標(biāo)準(zhǔn)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了對(duì)生產(chǎn)具有特定保健功能食品企業(yè)的人員、設(shè)計(jì)與設(shè)施、原料、生產(chǎn)過程、成品貯存與運(yùn)輸以及品質(zhì)和衛(wèi)生管理方面的基本技術(shù)要求。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于所有保健食品生產(chǎn)企業(yè)。
警告:本標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用可能涉及危險(xiǎn)的材料、操作和設(shè)備。本標(biāo)準(zhǔn)未提出所有與使用相關(guān)的安全問題,使用者有責(zé)任確保安全和健康操作,并在使用前確定應(yīng)用的局限性。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用光學(xué)顯微鏡通過對(duì)收集在濾膜表面的污染物顆粒計(jì)數(shù)、測(cè)定液壓系統(tǒng)液體的顆粒污染度的方法,包括應(yīng)用透射或入射光學(xué)系統(tǒng),人工進(jìn)行顆粒計(jì)數(shù)和圖像分析的兩種方式。 尺寸≥2m的顆粒可采用本方法計(jì)數(shù),但結(jié)果的分辨率和準(zhǔn)確度與使用的光學(xué)系統(tǒng)及操作者的能力有關(guān)。 所有液壓系統(tǒng)液體的污染度等級(jí)都可根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分析、在有細(xì)的沉淀物或高顆粒濃度的液樣中,如果為了使更小尺寸的顆粒能夠被計(jì)數(shù)而減少過濾體積,將會(huì)增加大尺寸顆粒計(jì)數(shù)的不確定度。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了PET瓶無菌冷灌裝生產(chǎn)線(以下簡(jiǎn)稱"無菌線"的術(shù)語和定義、型號(hào)、型式、設(shè)備組成、基本參數(shù)、無菌線工作條件、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存等要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在無菌條件下、液體食品用PET等塑料瓶的灌裝生產(chǎn)設(shè)備,應(yīng)用于食品等行業(yè)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用全反射X光熒光光譜,定量測(cè)定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片、外延片(以下稱硅片),尤其適用于硅片清洗后自然氧化層,或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定,測(cè)定范圍為10<上標(biāo)9> atoms/cm<上標(biāo)2>~10<上標(biāo)15> atoms/cm<上標(biāo)2> 。本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于其他半導(dǎo)體材料,如砷化鎵、碳化硅、SOI等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測(cè)定。對(duì)良好的鏡面拋光表面,可探測(cè)深度約5nm,分析深度隨表面粗糙度的改善而增大。本方法可檢測(cè)元素周期表中原子序數(shù)16(S)~92(U)的元素,尤其適用于測(cè)定以下元素:鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。本方法的檢測(cè)限取決于原子序數(shù)、激勵(lì)能、激勵(lì)X射線的光通量、設(shè)備的本底積分時(shí)間以及空白值。對(duì)恒定的設(shè)備參數(shù),無干擾檢測(cè)限是元素原子序數(shù)的函數(shù),其變化超過兩個(gè)數(shù)量級(jí)。重復(fù)性和檢測(cè)限的關(guān)系見附錄A。本方法是非破壞性的,是對(duì)其他測(cè)試方法的補(bǔ)充,與不同表面金屬測(cè)試方法的比較及校準(zhǔn)樣品的標(biāo)定參見附錄B。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定液壓系統(tǒng)工作介質(zhì)顆粒污染度的兩種稱重法(雙濾膜法和單濾膜法)。雙濾膜法可得到更精確的檢測(cè)結(jié)果。本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)顆粒污染度大于0.2 mg/L的液壓系統(tǒng)工作介質(zhì)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用氫氧化鉀腐蝕工藝進(jìn)行MEMS器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于氫氧化鉀腐蝕工藝和管理。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用體硅溶片加工工藝進(jìn)行MEMS器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和工藝評(píng)價(jià)規(guī)范。本標(biāo)準(zhǔn)適用于體硅溶片工藝的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了衛(wèi)星研制全過程所需進(jìn)行的各項(xiàng)防污染工作項(xiàng)目及其技術(shù)要求、本標(biāo)準(zhǔn)適用于整星的研制,分系統(tǒng)及組件(含設(shè)備、部件)也可參照使用、
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境圍護(hù)結(jié)構(gòu)中應(yīng)用的墻板、吊頂板等夾芯板的產(chǎn)品規(guī)格、原材料和技術(shù)性能要求、性能檢測(cè)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及安裝中的注意事項(xiàng)等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境應(yīng)用的圍護(hù)結(jié)構(gòu)中的墻板和吊頂板等夾芯板。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽電池用電子級(jí)氫氟酸(以下簡(jiǎn)稱電子級(jí)氫氟酸)的性狀、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、標(biāo)簽和包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子級(jí)氫氟酸。本標(biāo)準(zhǔn)不涉及使用安全性問題。本標(biāo)準(zhǔn)的使用人應(yīng)負(fù)責(zé)建立適當(dāng)?shù)陌踩】禇l款及使用范圍的限制。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了實(shí)施存儲(chǔ)介質(zhì)數(shù)據(jù)恢復(fù)服務(wù)所需的服務(wù)原則、服務(wù)條件、服務(wù)過程要求及管理要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于指導(dǎo)提供存儲(chǔ)介質(zhì)數(shù)據(jù)恢復(fù)服務(wù)機(jī)構(gòu)針對(duì)非涉及秘密的數(shù)據(jù)恢復(fù)服務(wù)實(shí)施和管理。
GB/T 32146的本部分規(guī)定了檢驗(yàn)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室(以下簡(jiǎn)稱實(shí)驗(yàn)室)的分類、設(shè)計(jì)思想、設(shè)計(jì)流程、規(guī)劃設(shè)計(jì)、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和深化設(shè)計(jì)要求。本部分適用于新建、改建和擴(kuò)建實(shí)驗(yàn)室的設(shè)計(jì)和建設(shè)。
GB/T 32146的本部分規(guī)定了食品實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)與建設(shè)的總體規(guī)劃、功能設(shè)計(jì)、建筑設(shè)計(jì)、環(huán)境設(shè)施、安全防護(hù)等方面的技術(shù)要求。本部分適用于新建、改建和擴(kuò)建的食品實(shí)驗(yàn)室的設(shè)計(jì)和建設(shè)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的平整度,即總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)、彎曲度(Bow)、翹曲度(Warp)的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑為50.8 mm、76.2 mm、100 mm,厚度0.13 mm~1 mm碳化硅單晶拋光片平整度的測(cè)試。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了氨基酸生產(chǎn)企業(yè)的廠房及設(shè)施、設(shè)備、管理機(jī)構(gòu)與人員、衛(wèi)生管理、物料管理、菌種管理、生產(chǎn)管理、質(zhì)量管理的基本要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于所有采用發(fā)酵法生產(chǎn)氨基酸的企業(yè)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了發(fā)酵法生產(chǎn)有機(jī)酸的定義、廠區(qū)環(huán)境、廠房及設(shè)施、設(shè)備、衛(wèi)生管理、機(jī)構(gòu)與人員、原輔料、生產(chǎn)過程管理、包裝、成品貯存與運(yùn)輸、質(zhì)量管理、產(chǎn)品召回、追溯管理的要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于食品、醫(yī)藥、化妝品行業(yè)發(fā)酵法有機(jī)酸的生產(chǎn),氨基酸的生產(chǎn)不適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用SOI硅片進(jìn)行MEMS器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗(yàn)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅基MEMS制造技術(shù)中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)。
前沿科學(xué)
微信公眾號(hào)
中析研究所
抖音
中析研究所
微信公眾號(hào)
中析研究所
快手
中析研究所
微視頻
中析研究所
小紅書